【摘要】三氧化钨是一种n型半导体，它的禁带宽度在2. 5-3.5 eV之间，是一类宽禁带的氧化物。作为一类具有开发潜力的半导体材料，它在气体传感器、光催化、显示器等方面都有着广泛的应用前景。由于形貌对纳米材料的性能和尺寸有着重要的影响，因此制备和研究不同结构和形貌的三氧化钨受到了越来越多研究者的青睐。
【关键词】
《化工设计通讯》 2015-11-20
《山东医药》 2015-11-20
《山东医药》 2015-11-20
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《糖尿病新世界》 2015-11-23
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《保定学院学报》 2015-11-23
《江西警察学院学报》 2015-11-23
010-56259535
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